TOSHIBA | Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

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Codice d'ordine:	EIB1213-2P
	FET di potenza internally matched Excelics EIB1213-2P
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	FET
Tensione drain-source (V_ds):	10 V
Tensione gate-source (V_gs) :	-5 V
Corrente di drain (I_d):	850 mA
Guadagno:	8.5 dB
Potenza di uscita:	33 dBm
Potenza dissipata:	16 W
Frequenza min.:	12.75 GHz
Frequenza max. :	13.25 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic
Montaggio :	flangia

FET di potenza internally matched

Codice d'ordine: EIB1213-2P
Excelics EIB1213-2P

Stock: 41 pz

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(Prezzi IVA esclusa)

Minimo: 1

Multiplo: 1

Codice d'ordine:	EIB1415-2P
	FET di potenza internally matched Excelics EIB1415-2P
Condizioni:	N (Il prodotto è nuovo)
Tipologia:	FET
Tensione drain-source (V_ds):	10 V
Tensione gate-source (V_gs) :	-5 V
Corrente di drain (I_d):	850 mA
Guadagno:	7.5 dB
Potenza di uscita:	33 dBm
Potenza dissipata:	16 W
Frequenza min.:	14.4 GHz
Frequenza max. :	15.35 GHz
Internally matched:	Si
Contenitore:	metal-ceramic
Montaggio :	flangia